FESB16JT-E3/45 ราคา (USD) [51104ชิ้นสต็อก]
- 1 pcs$0.76512
- 1,000 pcs$0.34684
- ส่วนจำนวน:
- FESB16JT-E3/45
- ผู้ผลิต:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- คำอธิบายโดยละเอียด:
- DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- มีสินค้า
- อายุการเก็บรักษา:
- หนึ่งปี
- ชิปจาก:
- ฮ่องกง
- เป็นไปตามมาตรฐาน:
- วิธีการชำระเงิน:
-
- วิธีการจัดส่ง:
- หมวดหมู่ครอบครัว:
- KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
- ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16JT-E3/45 electronic components. FESB16JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB16JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FESB16JT-E3/45 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ส่วนจำนวน :
FESB16JT-E3/45
ผู้ผลิต :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
ชุด :
-
สถานะส่วนหนึ่ง :
Active
ประเภทไดโอด :
Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
16A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.5V @ 16A
ความเร็ว :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
50ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
10µA @ 600V
ความจุ @ Vr, F :
145pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-263AB
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-65°C ~ 150°C
ข่าวล่าสุด
คุณอาจสนใจด้วย
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
อะไหล่ร้อน
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF