Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N48FU,RF(D

KEY Part #: K6523373

[4187ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SSM6N48FU,RF(D
    ผู้ผลิต:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET 2N-CH 30V 0.1A.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU,RF(D electronic components. SSM6N48FU,RF(D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N48FU,RF(D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM6N48FU,RF(D คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SSM6N48FU,RF(D
    ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
    ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
    คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 100mA (Ta)
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.2 Ohm @ 10mA, 4V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.5V @ 100µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 15.1pF @ 3V
    พลังงาน - สูงสุด : 300mW
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : US6

    คุณอาจสนใจด้วย