Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-80EPF12PBF

KEY Part #: K6445445

[2105ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    VS-80EPF12PBF
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-80EPF12PBF electronic components. VS-80EPF12PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-80EPF12PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-80EPF12PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : VS-80EPF12PBF
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1200V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 80A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.35V @ 80A
    ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 480ns
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 100µA @ 1200V
    ความจุ @ Vr, F : -
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AC
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -40°C ~ 150°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • C2D05120E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

    • VS-20ETF04FPPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

    • BAT54WH6327XTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

    • IDB23E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

    • IDB12E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

    • IDB45E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.