ส่วนจำนวน :
FD1000R33HL3KBPSA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
องค์ประกอบ :
2 Independent
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
3300V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
1000A
พลังงาน - สูงสุด :
11500W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.85V @ 15V, 1000A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
5mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
190nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Module