ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
ประเภททรานซิสเตอร์ :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) :
470 Ohms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) :
10 kOhms
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
56 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
500nA
ความถี่ - การเปลี่ยน :
200MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-563, SOT-666
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOT-563