Microsemi Corporation - JANTX2N6798

KEY Part #: K6403728

[2257ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    JANTX2N6798
    ผู้ผลิต:
    Microsemi Corporation
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTX2N6798 electronic components. JANTX2N6798 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX2N6798, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTX2N6798 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : JANTX2N6798
    ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
    ลักษณะ : MOSFET N-CH
    ชุด : Military, MIL-PRF-19500/557
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.5A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 42.07nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 800mW (Ta), 25W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-205AF (TO-39)
    แพ็คเกจ / เคส : TO-205AF Metal Can

    คุณอาจสนใจด้วย
    • AUIRFZ24NS

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK.

    • SSM3K7002BF,LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

    • IRF1324STRL-7PP

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7.

    • SQD25N06-22L_T4GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA.

    • IRFR224PBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK.

    • IRFU310PBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK.