Global Power Technologies Group - GHIS080A060S1-E1

KEY Part #: K6532675

GHIS080A060S1-E1 ราคา (USD) [2330ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$18.59223
  • 20 pcs$13.61083

ส่วนจำนวน:
GHIS080A060S1-E1
ผู้ผลิต:
Global Power Technologies Group
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT 600V 160A SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Global Power Technologies Group GHIS080A060S1-E1 electronic components. GHIS080A060S1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHIS080A060S1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS080A060S1-E1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : GHIS080A060S1-E1
ผู้ผลิต : Global Power Technologies Group
ลักษณะ : IGBT 600V 160A SOT227
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : Trench Field Stop
องค์ประกอบ : Single
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 160A
พลังงาน - สูงสุด : 380W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 80A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 2mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 5.44nF @ 30V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : No
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : SOT-227-4, miniBLOC
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-227

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.