ส่วนจำนวน :
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
ผู้ผลิต :
Micron Technology Inc.
ลักษณะ :
IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
DRAM
ขนาดหน่วยความจำ :
8Gb (1G x 8)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :
1.2GHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
-
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
1.14V ~ 1.26V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 105°C (TC)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
78-FBGA (8x12)