Infineon Technologies - DDB6U75N16W1RB11BOMA1

KEY Part #: K6534681

DDB6U75N16W1RB11BOMA1 ราคา (USD) [2707ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$15.99524

ส่วนจำนวน:
DDB6U75N16W1RB11BOMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies DDB6U75N16W1RB11BOMA1 electronic components. DDB6U75N16W1RB11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DDB6U75N16W1RB11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DDB6U75N16W1RB11BOMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DDB6U75N16W1RB11BOMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : Trench Field Stop
องค์ประกอบ : Three Phase Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 69A
พลังงาน - สูงสุด : 335W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 50A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 1mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 2.8nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : Yes
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.