ส่วนจำนวน :
STGWA50M65DF2
ผู้ผลิต :
STMicroelectronics
ลักษณะ :
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
650V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
80A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
150A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 50A
การสลับพลังงาน :
880µJ (on), 1.57mJ (off)
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
42ns/130ns
ทดสอบสภาพ :
400V, 50A, 6.8 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
162ns
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-247 Long Leads