Infineon Technologies - BSS209PW

KEY Part #: K6413162

[13196ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    BSS209PW
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies BSS209PW electronic components. BSS209PW can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS209PW, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS209PW คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : BSS209PW
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323
    ชุด : OptiMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 580mA (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 580mA, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.2V @ 3.5µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 1.38nC @ 4.5V
    Vgs (สูงสุด) : ±12V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 89.9pF @ 15V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 520mW (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-SOT323-3
    แพ็คเกจ / เคส : SC-70, SOT-323

    คุณอาจสนใจด้วย
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • FQD5N50CTM_F080

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 4A DPAK.

    • IRFR3711Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 93A DPAK.

    • FQD2N80TM_WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK.

    • IRFR3412TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.