Micron Technology Inc. - MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

KEY Part #: K914355

[9472ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
    ผู้ผลิต:
    Micron Technology Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA. DRAM
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: PMIC - การจัดการพลังงาน - เฉพาะทาง, นาฬิกา / กำหนดเวลา - แบตเตอรี่ IC, อินเตอร์เฟซ - บันทึกเสียงและเล่น, Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP แอมป์, แ, อินเทอร์เฟซ - สวิตช์แบบอะนาล็อกมัลติเพล็กเซอร์ Dem, PMIC - ตัวควบคุม Hot Swap, PMIC - ตัวแปลง AC DC, สวิตช์ออฟไลน์ and PMIC - ตัวแปลง RMS เป็น DC ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E electronic components. MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
    ผู้ผลิต : Micron Technology Inc.
    ลักษณะ : IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Active
    ประเภทหน่วยความจำ : Volatile
    ฟอร์แมตหน่วยความจำ : DRAM
    เทคโนโลยี : SDRAM - Mobile LPDDR4
    ขนาดหน่วยความจำ : 32Gb (512M x 64)
    ความถี่สัญญาณนาฬิกา : 2133MHz
    เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : -
    เวลาเข้าถึง : -
    อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : -
    แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 1.1V
    อุณหภูมิในการทำงาน : -30°C ~ 85°C (TC)
    ประเภทการติดตั้ง : -
    แพ็คเกจ / เคส : -
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : -

    คุณอาจสนใจด้วย
    • 25LC256T-M/MF

      Microchip Technology

      IC EEPROM 256K SPI 10MHZ 8DFN. EEPROM Serial EEPROM 256K 32K X 8, 2.5V MIL T

    • RMWV3216AGBG-5S2#KC0

      Renesas Electronics America

      SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40. SRAM SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C

    • R1LV3216RSD-5SI#S0

      Renesas Electronics America

      IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II.

    • MT25QL02GCBB8E12-0SIT

      Micron Technology Inc.

      IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA.

    • IS61WV102416ALL-20TLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP. SRAM 16Mb, 1Mbx16, 20ns Async SRAM

    • IS61WV102416BLL-10MLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48MINIBGA. SRAM 16Mb 10ns 1Mx16 Async SRAM 3.3v