Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4N80CI C0G

KEY Part #: K6399773

TSM4N80CI C0G ราคา (USD) [46527ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.84038

ส่วนจำนวน:
TSM4N80CI C0G
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A ITO220.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N80CI C0G electronic components. TSM4N80CI C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM4N80CI C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM4N80CI C0G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TSM4N80CI C0G
ผู้ผลิต : Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ : MOSFET N-CHANNEL 800V 4A ITO220
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 800V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 955pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 38.7W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : ITO-220AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

คุณอาจสนใจด้วย