Rohm Semiconductor - US6K4TR

KEY Part #: K6523043

US6K4TR ราคา (USD) [440411ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.09285
  • 3,000 pcs$0.09238

ส่วนจำนวน:
US6K4TR
ผู้ผลิต:
Rohm Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Rohm Semiconductor US6K4TR electronic components. US6K4TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US6K4TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US6K4TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : US6K4TR
ผู้ผลิต : Rohm Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 1.5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 2.5nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 110pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด : 1W
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 6-SMD, Flat Leads
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TUMT6

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.