Taiwan Semiconductor Corporation - 2A03GHB0G

KEY Part #: K6434199

2A03GHB0G ราคา (USD) [2200504ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.01681

ส่วนจำนวน:
2A03GHB0G
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 2A03GHB0G electronic components. 2A03GHB0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2A03GHB0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2A03GHB0G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : 2A03GHB0G
ผู้ผลิต : Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
ชุด : Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 2A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1V @ 2A
ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 200V
ความจุ @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : DO-204AC, DO-15, Axial
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-204AC (DO-15)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • MMBD4448-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V

  • MMBD4448WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V

  • VS-HFA04SD60SHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt

  • VS-HFA08SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60SR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3