ON Semiconductor - FCP099N60E

KEY Part #: K6417657

FCP099N60E ราคา (USD) [37871ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.65378
  • 800 pcs$1.64555

ส่วนจำนวน:
FCP099N60E
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V TO220.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FCP099N60E electronic components. FCP099N60E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP099N60E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP099N60E คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FCP099N60E
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V TO220
ชุด : SuperFET® II
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 37A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3465pF @ 380V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 357W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย