ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-25DBL

KEY Part #: K936975

IS43DR86400C-25DBL ราคา (USD) [15541ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$3.52740
  • 242 pcs$3.50985

ส่วนจำนวน:
IS43DR86400C-25DBL
ผู้ผลิต:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
คำอธิบายโดยละเอียด:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: PMIC - การอ้างอิงแรงดันไฟฟ้า, PMIC - ตัวควบคุมพาวเวอร์ซัพพลาย, มอนิเตอร์, PMIC - การวัดพลังงาน, PMIC - ตัวแปลง V / F และ F / V, อินเตอร์เฟส - โมเด็ม - ไอซีและโมดูล, Linear - Amplifiers - วัตถุประสงค์พิเศษ, ลอจิก - ตัวนับวงเวียน and ลอจิก - ลงทะเบียน Shift ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBL electronic components. IS43DR86400C-25DBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400C-25DBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400C-25DBL คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IS43DR86400C-25DBL
ผู้ผลิต : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ลักษณะ : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทหน่วยความจำ : Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ : DRAM
เทคโนโลยี : SDRAM - DDR2
ขนาดหน่วยความจำ : 512Mb (64M x 8)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา : 400MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : 15ns
เวลาเข้าถึง : 400ps
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 1.7V ~ 1.9V
อุณหภูมิในการทำงาน : 0°C ~ 70°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 60-TFBGA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 60-TWBGA (8x10.5)

ข่าวล่าสุด

คุณอาจสนใจด้วย
  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GVBIAF

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8