ส่วนจำนวน :
UPA2672T1R-E2-AX
ผู้ผลิต :
Renesas Electronics America
ลักษณะ :
MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ประเภท FET :
2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate, 1.8V Drive
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
12V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
67 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
-
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
5nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
486pF @ 10V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
6-WDFN Exposed Pad
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
6-HUSON (2x2)