Microsemi Corporation - APTGT100A1202G

KEY Part #: K6533670

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in Microsemi Corporation APTGT100A1202G electronic components. APTGT100A1202G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT100A1202G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : APTGT100A1202G

ผู้ผลิต : Microsemi Corporation

ลักษณะ : MOD IGBT 1200V 140A SP2

ชุด : -

สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete

ประเภท IGBT : Trench Field Stop

องค์ประกอบ : Half Bridge

แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V

ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 140A

พลังงาน - สูงสุด : 480W

Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A

ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 50µA

อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 7.2nF @ 25V

อินพุต : Standard

เทอร์มิสเตอร์ NTC : No

อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง : Through Hole

แพ็คเกจ / เคส : SP2

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SP2

คุณอาจสนใจด้วย

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.