Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB8JT-E3/45

KEY Part #: K6456477

UGB8JT-E3/45 ราคา (USD) [120478ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.30701
  • 1,000 pcs$0.27950

ส่วนจำนวน:
UGB8JT-E3/45
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0A 25ns 100 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8JT-E3/45 electronic components. UGB8JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB8JT-E3/45 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : UGB8JT-E3/45
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 8A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.75V @ 8A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 50ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 30µA @ 600V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263AB
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-16EDH02HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101

  • SL03-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V

  • FESB8JTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 600 Volt 50ns 125 Amp IFSM

  • FESB8FTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB. Rectifiers 300 Volt 8.0A 50ns Single

  • FESB8HTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB. Rectifiers 500 Volt 8.0A 50ns Single

  • FESB8GTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 400 Volt 50ns 125 Amp IFSM