ส่วนจำนวน :
NSBC115TPDP6T5G
ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
ประเภททรานซิสเตอร์ :
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) :
100 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) :
-
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
250mV @ 1mA, 10mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
500nA
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOT-963