ส่วนจำนวน :
HN4B01JE(TE85L,F)
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
ประเภททรานซิสเตอร์ :
NPN, PNP (Emitter Coupled)
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
150mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
250mV @ 10mA, 100mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100nA (ICBO)
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
120 @ 10MA, 100MA
ความถี่ - การเปลี่ยน :
80MHz
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
ESV