ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
2.1A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 2.48A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
22nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
500pF @ 24V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
600mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Micro8™
แพ็คเกจ / เคส :
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)