ส่วนจำนวน :
NVMFS6H801NWFT1G
ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
TRENCH 8 80V NFET
ชุด :
Automotive, AEC-Q101
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
80V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
23A (Ta), 157A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
64nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
4120pF @ 40V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
3.8W (Ta), 166W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerTDFN, 5 Leads