IXYS - IXTH21N50Q

KEY Part #: K6401297

[3099ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IXTH21N50Q
    ผู้ผลิต:
    IXYS
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in IXYS IXTH21N50Q electronic components. IXTH21N50Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH21N50Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTH21N50Q คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IXTH21N50Q
    ผู้ผลิต : IXYS
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
    ชุด : HiPerFET™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 500V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 21A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 10.5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 190nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4200pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 300W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AD (IXTH)
    แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • LND150N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

    • DN2530N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

    • IRFIBC30GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

    • TPC8048-H(TE12L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.

    • SI4628DY-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC.

    • IRF720SPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK.