Vishay Siliconix - IRLR120TRR

KEY Part #: K6413951

[8392ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRLR120TRR
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix IRLR120TRR electronic components. IRLR120TRR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR120TRR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR120TRR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRLR120TRR
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Active
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 7.7A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4V, 5V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 4.6A, 5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 12nC @ 5V
    Vgs (สูงสุด) : ±10V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 490pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta), 42W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-Pak
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IRF5803TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5802

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • ZVN3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • IRFR220NTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.

    • IRLR4343TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.