ON Semiconductor - NTHS2101PT1

KEY Part #: K6413856

[12956ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    NTHS2101PT1
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor NTHS2101PT1 electronic components. NTHS2101PT1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHS2101PT1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTHS2101PT1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : NTHS2101PT1
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 8V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.4A (Tj)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 30nC @ 4.5V
    Vgs (สูงสุด) : ±8V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2400pF @ 6.4V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.3W (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : ChipFET™
    แพ็คเกจ / เคส : 8-SMD, Flat Lead

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IRF5806

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • ZVN3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • IRLR3715

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • IRLR3714

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 36A DPAK.

    • IRFR3704ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 60A DPAK.