Vishay Siliconix - SIHG33N60E-GE3

KEY Part #: K6416109

SIHG33N60E-GE3 ราคา (USD) [12256ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$3.25677
  • 10 pcs$2.90862
  • 100 pcs$2.38507
  • 500 pcs$1.93132
  • 1,000 pcs$1.62883

ส่วนจำนวน:
SIHG33N60E-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG33N60E-GE3 electronic components. SIHG33N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG33N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG33N60E-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIHG33N60E-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 33A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3508pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 278W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AC
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย