Toshiba Semiconductor and Storage - RN2109CT(TPL3)

KEY Part #: K6527836

[2699ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    RN2109CT(TPL3)
    ผู้ผลิต:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2109CT(TPL3) electronic components. RN2109CT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2109CT(TPL3), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN2109CT(TPL3) คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : RN2109CT(TPL3)
    ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
    ลักษณะ : TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภททรานซิสเตอร์ : PNP - Pre-Biased
    ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 50mA
    แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 20V
    ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) : 47 kOhms
    ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) : 22 kOhms
    DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce : 100 @ 10mA, 5V
    Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic : 150mV @ 250µA, 5mA
    ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 500nA
    ความถี่ - การเปลี่ยน : -
    พลังงาน - สูงสุด : 50mW
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : SC-101, SOT-883
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : CST3

    คุณอาจสนใจด้วย