STMicroelectronics - STD3LN80K5

KEY Part #: K6419996

STD3LN80K5 ราคา (USD) [150162ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.24632
  • 2,500 pcs$0.21927

ส่วนจำนวน:
STD3LN80K5
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
N-CHANNEL 800 V 2.75 OHM TYP..
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STD3LN80K5 electronic components. STD3LN80K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD3LN80K5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD3LN80K5 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STD3LN80K5
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : N-CHANNEL 800 V 2.75 OHM TYP.
ชุด : MDmesh™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 800V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.25 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 100µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 2.63nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 102pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 45W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DPAK
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย