Infineon Technologies - IPD30N06S4L23ATMA2

KEY Part #: K6403466

IPD30N06S4L23ATMA2 ราคา (USD) [305545ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.12105
  • 2,500 pcs$0.11109

ส่วนจำนวน:
IPD30N06S4L23ATMA2
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPD30N06S4L23ATMA2 electronic components. IPD30N06S4L23ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD30N06S4L23ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD30N06S4L23ATMA2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPD30N06S4L23ATMA2
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
ชุด : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 30A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.2V @ 10µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1560pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 36W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO252-3-11
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย
  • MTD3055V

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 12A DPAK.

  • FDD7N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3.

  • FQD2N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK.

  • FDD8876

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK.

  • FDD3860

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK.

  • FQD20N06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK.