STMicroelectronics - STFW45N65M5

KEY Part #: K6416083

STFW45N65M5 ราคา (USD) [11906ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$5.09009
  • 10 pcs$4.58108
  • 100 pcs$3.76666
  • 500 pcs$3.15585

ส่วนจำนวน:
STFW45N65M5
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STFW45N65M5 electronic components. STFW45N65M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STFW45N65M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STFW45N65M5 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STFW45N65M5
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF
ชุด : MDmesh™ V
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 35A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±25V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3470pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 57W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : ISOWATT-218FX
แพ็คเกจ / เคส : ISOWATT218FX

คุณอาจสนใจด้วย