ส่วนจำนวน :
DP0150BLP4-7B
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
TRANS PNP 50V 0.1A DFN1006H4-3
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
300mV @ 10mA, 100mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100nA (ICBO)
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
200 @ 2mA, 6V
ความถี่ - การเปลี่ยน :
80MHz
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
X2-DFN1006-3