ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
2.9A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
700mV @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
6.7nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
568pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOT-23-3
แพ็คเกจ / เคส :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3