Infineon Technologies - IRLU3636PBF

KEY Part #: K6419284

IRLU3636PBF ราคา (USD) [101987ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.38339

ส่วนจำนวน:
IRLU3636PBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไทริสเตอร์ - SCRs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRLU3636PBF electronic components. IRLU3636PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLU3636PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLU3636PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRLU3636PBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 50A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 100µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 49nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3779pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 143W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : I-PAK
แพ็คเกจ / เคส : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

คุณอาจสนใจด้วย