ส่วนจำนวน :
SUP60N06-12P-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
60A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
55nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1970pF @ 30V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
3.25W (Ta), 100W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-220AB