Vishay Siliconix - SUP60N06-12P-GE3

KEY Part #: K6405897

[1506ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SUP60N06-12P-GE3
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix SUP60N06-12P-GE3 electronic components. SUP60N06-12P-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUP60N06-12P-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SUP60N06-12P-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SUP60N06-12P-GE3
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
    ชุด : TrenchFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 60A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 55nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1970pF @ 30V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 3.25W (Ta), 100W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3