IXYS - IXFH10N100

KEY Part #: K6415078

[12534ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IXFH10N100
    ผู้ผลิต:
    IXYS
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in IXYS IXFH10N100 electronic components. IXFH10N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH10N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFH10N100 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IXFH10N100
    ผู้ผลิต : IXYS
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
    ชุด : HiPerFET™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1000V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 10A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 4mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 155nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4000pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 300W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AD (IXFH)
    แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • NDF0610

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 180MA TO92.

    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • BSS100

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 220MA TO92.

    • BSS110

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 50V 170MA TO92.

    • 94-4007

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.