Microsemi Corporation - JAN1N4988CUS

KEY Part #: K6479712

JAN1N4988CUS ราคา (USD) [3027ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$14.31087
  • 100 pcs$9.63039

ส่วนจำนวน:
JAN1N4988CUS
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE ZENER 180V 5W D5B. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4988CUS electronic components. JAN1N4988CUS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4988CUS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4988CUS คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : JAN1N4988CUS
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : DIODE ZENER 180V 5W D5B
ชุด : Military, MIL-PRF-19500/356
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) : 180V
ความอดทน : ±2%
พลังงาน - สูงสุด : 5W
ความต้านทาน (สูงสุด) (Zzt) : 450 Ohms
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 2µA @ 136.8V
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.5V @ 1A
อุณหภูมิในการทำงาน : -65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : E-MELF
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-5B

คุณอาจสนใจด้วย
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA