ON Semiconductor - NSBA123JDXV6T5G

KEY Part #: K6528824

NSBA123JDXV6T5G ราคา (USD) [1344664ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.02751
  • 16,000 pcs$0.02445

ส่วนจำนวน:
NSBA123JDXV6T5G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor NSBA123JDXV6T5G electronic components. NSBA123JDXV6T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSBA123JDXV6T5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSBA123JDXV6T5G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : NSBA123JDXV6T5G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภททรานซิสเตอร์ : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) : 2.2 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) : 47 kOhms
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 500nA
ความถี่ - การเปลี่ยน : -
พลังงาน - สูงสุด : 500mW
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : SOT-563, SOT-666
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-563

คุณอาจสนใจด้วย