Infineon Technologies - IRF6620TR1

KEY Part #: K6412466

[13436ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRF6620TR1
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IRF6620TR1 electronic components. IRF6620TR1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6620TR1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF6620TR1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRF6620TR1
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
    ชุด : HEXFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 27A (Ta), 150A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 27A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.45V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 42nC @ 4.5V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4130pF @ 10V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DIRECTFET™ MX
    แพ็คเกจ / เคส : DirectFET™ Isometric MX

    คุณอาจสนใจด้วย
    • GP2M002A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

    • IRFR4104TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

    • IRFR4104TRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

    • IRFR7746PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK.

    • IRFR120ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

    • FDD16AN08A0-F085

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 75V 50A DPAK.