ON Semiconductor - FDD6630A

KEY Part #: K6393533

FDD6630A ราคา (USD) [352060ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.10506
  • 2,500 pcs$0.10007

ส่วนจำนวน:
FDD6630A
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FDD6630A electronic components. FDD6630A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD6630A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD6630A คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FDD6630A
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK
ชุด : PowerTrench®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 21A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 7nC @ 5V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 462pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 28W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-252
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63