Infineon Technologies - IRF7807TRPBF

KEY Part #: K6420354

IRF7807TRPBF ราคา (USD) [186409ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.19842
  • 4,000 pcs$0.16957

ส่วนจำนวน:
IRF7807TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRF7807TRPBF electronic components. IRF7807TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7807TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7807TRPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRF7807TRPBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8.3A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 17nC @ 5V
Vgs (สูงสุด) : ±12V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

คุณอาจสนใจด้วย