ส่วนจำนวน :
SPD04N60S5BTMA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4.5A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5.5V @ 200µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
22.9nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
580pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
50W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TO252-3
แพ็คเกจ / เคส :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63