GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

KEY Part #: K6468492

คำอธิบายโดยละเอียด:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CT electronic components. MBR600200CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : MBR600200CT

ผู้ผลิต : GeneSiC Semiconductor

ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

ชุด : -

สถานะส่วนหนึ่ง : Active

การกำหนดค่าไดโอด : 1 Pair Common Cathode

ประเภทไดโอด : Schottky

แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 200V

ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io) (ต่อไดโอด) : 300A

แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 920mV @ 300A

ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -

ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 3mA @ 200V

อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount

แพ็คเกจ / เคส : Twin Tower

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Twin Tower

คุณอาจสนใจด้วย

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.