ส่วนจำนวน :
HN2A01FU-Y(TE85L,F
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
ประเภททรานซิสเตอร์ :
2 PNP (Dual)
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
150mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
300mV @ 10mA, 100mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100nA (ICBO)
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
120 @ 2mA, 6V
ความถี่ - การเปลี่ยน :
80MHz
อุณหภูมิในการทำงาน :
125°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
US6