ON Semiconductor - FCPF850N80Z

KEY Part #: K6418760

FCPF850N80Z ราคา (USD) [76415ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.51169
  • 1,000 pcs$0.45014

ส่วนจำนวน:
FCPF850N80Z
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220F.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FCPF850N80Z electronic components. FCPF850N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCPF850N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF850N80Z คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FCPF850N80Z
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
ชุด : SuperFET® II
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 800V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 600µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1315pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 28.4W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220F
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

คุณอาจสนใจด้วย