ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16160D-6BLI

KEY Part #: K937664

IS43R16160D-6BLI ราคา (USD) [17643ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$3.10746
  • 190 pcs$3.09200

ส่วนจำนวน:
IS43R16160D-6BLI
ผู้ผลิต:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
คำอธิบายโดยละเอียด:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: อินเตอร์เฟส - ไดรเวอร์, ตัวรับสัญญาณ, ตัวรับส่งสัญ, PMIC - ตัวควบคุมพาวเวอร์ซัพพลาย, มอนิเตอร์, การเก็บข้อมูล - ADCs / DACs - วัตถุประสงค์พิเศษ, Linear - Amplifiers - Audio, อินเตอร์เฟซ - โมดูล, PMIC - เร็คกูเลเตอร์แรงดันไฟฟ้า - ตัวควบคุมเชิงเส้, PMIC - ไดรเวอร์จอแสดงผล and อินเตอร์เฟส - การสังเคราะห์ดิจิทัลโดยตรง (DDS) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6BLI electronic components. IS43R16160D-6BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R16160D-6BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R16160D-6BLI คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IS43R16160D-6BLI
ผู้ผลิต : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ลักษณะ : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทหน่วยความจำ : Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ : DRAM
เทคโนโลยี : SDRAM - DDR
ขนาดหน่วยความจำ : 256Mb (16M x 16)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา : 166MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : 15ns
เวลาเข้าถึง : 700ps
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 2.3V ~ 2.7V
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 60-TFBGA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 60-TFBGA (8x13)

ข่าวล่าสุด

คุณอาจสนใจด้วย
  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • S25FS512SAGNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 133MHZ. NOR Flash Nor