ส่วนจำนวน :
RJK5018DPK-00#T0
ผู้ผลิต :
Renesas Electronics America
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
35A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
-
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
104nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
4100pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
200W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-3P
แพ็คเกจ / เคส :
TO-3P-3, SC-65-3