ส่วนจำนวน :
GD25Q127CWIGR
ผู้ผลิต :
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ประเภทหน่วยความจำ :
Non-Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
FLASH
ขนาดหน่วยความจำ :
128Mb (16M x 8)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา :
104MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
12µs, 2.4ms
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
SPI - Quad I/O
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
2.7V ~ 3.6V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-WDFN Exposed Pad
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-WSON (5x6)