ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320E-3DBLA2-TR

KEY Part #: K938249

IS46DR16320E-3DBLA2-TR ราคา (USD) [19760ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.31886

ส่วนจำนวน:
IS46DR16320E-3DBLA2-TR
ผู้ผลิต:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
คำอธิบายโดยละเอียด:
IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ. DRAM 512M 1.8V 32Mx16 Ext Temp DDR2
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: นาฬิกา / กำหนดเวลา - สายหน่วงเวลา, อินเทอร์เฟซ - UARTs (Universal Asynchronous Receiv, PMIC - หัวหน้างาน, การเก็บข้อมูล - ตัวแปลงอนาล็อกเป็นดิจิตอล (ADC), การเก็บข้อมูล - ตัวแปลงดิจิตอลเป็นอนาล็อก (DAC), ตรรกะ - นักแปลระดับจำแลง, PMIC - หรือคอนโทรลเลอร์, ไดโอดในอุดมคติ and PMIC - PFC (แก้ไขตัวประกอบกำลัง) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA2-TR electronic components. IS46DR16320E-3DBLA2-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16320E-3DBLA2-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16320E-3DBLA2-TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IS46DR16320E-3DBLA2-TR
ผู้ผลิต : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ลักษณะ : IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทหน่วยความจำ : Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ : DRAM
เทคโนโลยี : SDRAM - DDR2
ขนาดหน่วยความจำ : 512Mb (32M x 16)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา : 333MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : 15ns
เวลาเข้าถึง : 450ps
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 1.7V ~ 1.9V
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 105°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 84-TFBGA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 84-TWBGA (8x12.5)

ข่าวล่าสุด

คุณอาจสนใจด้วย
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • 71V25761S166PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline